casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS123-7
Número de pieza del fabricante | BSS123-7 |
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Número de parte futuro | FT-BSS123-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSS123-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 170mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 60pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS123-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSS123-7-FT |
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10CL010ZU256I8G
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5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
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APA075-FGG144
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10AX066N2F40I2SGES
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EPF10K50VBC356-2N
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EPF10K50VBI356-4
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