casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMHC10H170SFJ-13
Número de pieza del fabricante | DMHC10H170SFJ-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMHC10H170SFJ-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMHC10H170SFJ-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A, 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1167pF @ 25V |
Potencia - max | 2.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 12-VDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | V-DFN5045-12 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMHC10H170SFJ-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMHC10H170SFJ-13-FT |
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5SGXEA3K2F40C3
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XC7VX330T-2FFG1157I
Xilinx Inc.