casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMHC6070LSD-13
Número de pieza del fabricante | DMHC6070LSD-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMHC6070LSD-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMHC6070LSD-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.1A, 2.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 731pF @ 20V |
Potencia - max | 1.6W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMHC6070LSD-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMHC6070LSD-13-FT |
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