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Diodes Incorporated DMG3N60SJ3

Name: DMG3N60SJ3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3N60SJ3
Price: 0.501976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (464 reviews)

Número de pieza de MFG: DMG3N60SJ3

Cantidad disponible: 24300 Piezas

Precio de referencia: USD 0.501976

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMG3N60SJ3.pdf

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DMG3N60SJ3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DMG3N60SJ3
Número de parte futuro	FT-DMG3N60SJ3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMG3N60SJ3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	354pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-251
Paquete / Caja	TO-251-3, IPak, Short Leads
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG3N60SJ3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMG3N60SJ3-FT

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