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Diodes Incorporated DMG3N60SJ3
- Número de pieza de MFG
- DMG3N60SJ3
- Cantidad disponible
- 24300 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.501976
- Nuestro precio
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Diodes Incorporated
- Breve descripción
- Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- DMG3N60SJ3.pdf
DMG3N60SJ3 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | DMG3N60SJ3 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-DMG3N60SJ3 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101 |
| DMG3N60SJ3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 354pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 41W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-251 |
| Paquete / Caja | TO-251-3, IPak, Short Leads |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMG3N60SJ3 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | DMG3N60SJ3-FT |
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