casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC094N06LS5ATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC094N06LS5ATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSC094N06LS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC094N06LS5ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 47A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 14µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1300pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 36W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC094N06LS5ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC094N06LS5ATMA1-FT |
APT5022BNG
Microsemi Corporation
APT5025BN
Microsemi Corporation
APT5SM170B
Microsemi Corporation
APT5SM170S
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APT6030BN
Microsemi Corporation
APT6040BN
Microsemi Corporation
APT6040BNG
Microsemi Corporation
APT70SM70B
Microsemi Corporation
APT70SM70S
Microsemi Corporation
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XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
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XC6SLX4-2CSG225I
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AGL600V2-CSG281
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LFXP6C-3Q208C
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel