casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMG1012UW-7
Número de pieza del fabricante | DMG1012UW-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMG1012UW-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG1012UW-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±6V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 290mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-323 |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG1012UW-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMG1012UW-7-FT |
DMT10H015LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6009LSS-13
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Diodes Incorporated
LFXP3C-3TN100C
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XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel