casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMG1012UW-7
Número de pieza del fabricante | DMG1012UW-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMG1012UW-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG1012UW-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±6V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 290mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-323 |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG1012UW-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMG1012UW-7-FT |
DMT10H015LSS-13
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LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel