casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DFE252012F-R82M=P2
Número de pieza del fabricante | DFE252012F-R82M=P2 |
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Número de parte futuro | FT-DFE252012F-R82M=P2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012F |
DFE252012F-R82M=P2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 820nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.6A |
Corriente - Saturación | 5.4A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 35 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012F-R82M=P2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DFE252012F-R82M=P2-FT |
DFE201610P-2R2M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-R47M=P2
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XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel