casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DFE201610P-2R2M=P2
Número de pieza del fabricante | DFE201610P-2R2M=P2 |
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Número de parte futuro | FT-DFE201610P-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201610P |
DFE201610P-2R2M=P2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 168 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610P-2R2M=P2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DFE201610P-2R2M=P2-FT |
LQG15WZ1N6C02D
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LQG15WZ1N6S02D
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LQG15WZ1N8C02D
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LQG15WZ1N8S02D
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LQG15WZ2N2S02D
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LQG15WZ2N4S02D
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XA3S200A-4FTG256Q
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XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
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M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
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A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
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AGL1000V5-FGG144
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