Número de pieza del fabricante | DF1506M |
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Número de parte futuro | FT-DF1506M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF1506M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF1506M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DF1506M-FT |
GBJ802-F
Diodes Incorporated
GBJ1002-F
Diodes Incorporated
GBJ601-F
Diodes Incorporated
GBJ1001-F
Diodes Incorporated
GBJ801-F
Diodes Incorporated
GBJ806-F
Diodes Incorporated
GBJ2004-F
Diodes Incorporated
GBJ604-F
Diodes Incorporated
GBJ2002-F
Diodes Incorporated
GBJ2501-F
Diodes Incorporated
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45C2N
Intel
5SGXEBBR3H43I3LN
Intel
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K100EBC356-3
Intel
EP4SGX530HH35C2
Intel