casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ601-F
Número de pieza del fabricante | GBJ601-F |
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Número de parte futuro | FT-GBJ601-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ601-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 3A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ601-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ601-F-FT |
MB256
Diodes Incorporated
MB3505
Diodes Incorporated
MB3505-F
Diodes Incorporated
MB351
Diodes Incorporated
MB351-F
Diodes Incorporated
MB3510
Diodes Incorporated
MB352
Diodes Incorporated
MB352-F
Diodes Incorporated
MB354
Diodes Incorporated
MB354-F
Diodes Incorporated
A3PN030-ZQNG68
Microsemi Corporation
EP20K30ETC144-2N
Intel
LFXP3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C8G
Intel
LFE5U-45F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35C4N
Intel