Número de pieza del fabricante | DF1501M |
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Número de parte futuro | FT-DF1501M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF1501M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF1501M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DF1501M-FT |
GBJ2506-F
Diodes Incorporated
GBJ2006-F
Diodes Incorporated
GBJ810-F
Diodes Incorporated
GBJ802-F
Diodes Incorporated
GBJ1002-F
Diodes Incorporated
GBJ601-F
Diodes Incorporated
GBJ1001-F
Diodes Incorporated
GBJ801-F
Diodes Incorporated
GBJ806-F
Diodes Incorporated
GBJ2004-F
Diodes Incorporated
LCMXO2280E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1440A-1VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQI
Microchip Technology
EP1K50FC484-1
Intel
EP20K160EFC484-1
Intel
EP4S100G4F45I2
Intel
XC5VLX110T-2FF1738C
Xilinx Inc.
EP1AGX60DF780C6N
Intel