Número de pieza del fabricante | DF10M |
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Número de parte futuro | FT-DF10M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF10M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF10M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DF10M-FT |
GBU1010
Diodes Incorporated
GBU6005
Diodes Incorporated
GBJ1504-F
Diodes Incorporated
GBJ2506-F
Diodes Incorporated
GBJ2006-F
Diodes Incorporated
GBJ810-F
Diodes Incorporated
GBJ802-F
Diodes Incorporated
GBJ1002-F
Diodes Incorporated
GBJ601-F
Diodes Incorporated
GBJ1001-F
Diodes Incorporated
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel