Número de pieza del fabricante | DF10-G |
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Número de parte futuro | FT-DF10-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF10-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DF |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF10-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DF10-G-FT |
EFE13C
Sensata-Crydom
EFE13F
Sensata-Crydom
B485C-2
Sensata-Crydom
B485C-2T
Sensata-Crydom
B412F-2T
Sensata-Crydom
B412F-2T-YEB
Sensata-Crydom
M5060SB1000
Sensata-Crydom
M50100TB800
Sensata-Crydom
M50100TB1600
Sensata-Crydom
M5060TB600
Sensata-Crydom
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel