casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / B412F-2T
Número de pieza del fabricante | B412F-2T |
---|---|
Número de parte futuro | FT-B412F-2T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B412F-2T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.2kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 12A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 35A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | QC Terminal |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B412F-2T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | B412F-2T-FT |
GBJ2504-F
Diodes Incorporated
GBJ1010-F
Diodes Incorporated
GBJ2508-F
Diodes Incorporated
GBJ1506-F
Diodes Incorporated
GBJ1510-F
Diodes Incorporated
GBJ808-F
Diodes Incorporated
GBJ804-F
Diodes Incorporated
GBJ2010-F
Diodes Incorporated
GBJ2001-F
Diodes Incorporated
GBJ1006-F
Diodes Incorporated
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C3N
Intel
5SGSMD5H3F35I4
Intel
A42MX16-2PQG160I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
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LFE2M50E-6FN900I
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LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EFC324-3N
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EP20K160EQC240-3
Intel