casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DDTB123YC-7-F
Número de pieza del fabricante | DDTB123YC-7-F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DDTB123YC-7-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTB123YC-7-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB123YC-7-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DDTB123YC-7-F-FT |
DDTC142TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA113TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA113ZE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114YE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123TE-7-F
Diodes Incorporated
XC2V500-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC2V6000-4FF1517I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
5SGXEA3K3F40C2LN
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
LCMXO3LF-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S2F45I2SGES
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP1C6Q240C6
Intel