casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DDTA114GE-7-F
Número de pieza del fabricante | DDTA114GE-7-F |
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Número de parte futuro | FT-DDTA114GE-7-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA114GE-7-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | - |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-523 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA114GE-7-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DDTA114GE-7-F-FT |
BCR 179T E6327
Infineon Technologies
BCR 183T E6327
Infineon Technologies
BCR 185T E6327
Infineon Technologies
BCR 189T E6327
Infineon Technologies
BCR 191T E6327
Infineon Technologies
BCR 192T E6327
Infineon Technologies
BCR 196T E6327
Infineon Technologies
BCR 198T E6327
Infineon Technologies
BCR 199T E6327
Infineon Technologies
DDTA144GCA-7-F
Diodes Incorporated
XC7A12T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256M
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4N
Intel
EP4SE820H40C3N
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
10AX016E4F29I3SG
Intel