casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / DBL105G C1G
Número de pieza del fabricante | DBL105G C1G |
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Número de parte futuro | FT-DBL105G C1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DBL105G C1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DBL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL105G C1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DBL105G C1G-FT |
D2SB80 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB60 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL205 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB05 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB05HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB10 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB10HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB20 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB20HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB40 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS10-3TQ144C
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XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484I
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EP3C25E144C8N
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EP4SE530H40I3N
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A42MX09-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6MG328C
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LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C8N
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EP2SGX90FF1508I4
Intel