casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / D2SB10HD2G
Número de pieza del fabricante | D2SB10HD2G |
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Número de parte futuro | FT-D2SB10HD2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
D2SB10HD2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 2A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBL |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D2SB10HD2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | D2SB10HD2G-FT |
DBLS158GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS159G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS159GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS159GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS203G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX4-3TQG144I
Xilinx Inc.
A1225A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB6R3F43C2LN
Intel
EP3SE110F1152C3N
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
EPF8636ALC84-4N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel