casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / D6001N50TXPSA1
Número de pieza del fabricante | D6001N50TXPSA1 |
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Número de parte futuro | FT-D6001N50TXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D6001N50TXPSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 5000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8010A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 6000A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 400mA @ 5000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AE |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 160°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D6001N50TXPSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | D6001N50TXPSA1-FT |
BYG10GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10KHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel