casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYG10GHM3_A/I
Número de pieza del fabricante | BYG10GHM3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-BYG10GHM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10GHM3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10GHM3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYG10GHM3_A/I-FT |
SBRA401T3G
ON Semiconductor
CDBU40
Comchip Technology
SBRS5641T3G
ON Semiconductor
NGTD5R65F2SWK
ON Semiconductor
CDBU40-HF
Comchip Technology
CDSU400B-HF
Comchip Technology
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Diodes Incorporated
CDBMHT1100-HF
Comchip Technology
LL4004G L0
Taiwan Semiconductor Corporation
SDT10A45P5-7
Diodes Incorporated
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
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XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
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EPF10K100ABC356-3
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EP1C12F324C6
Intel