casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / D3501N42TXPSA1
Número de pieza del fabricante | D3501N42TXPSA1 |
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Número de parte futuro | FT-D3501N42TXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D3501N42TXPSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 4200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4870A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.27V @ 4000A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100mA @ 4200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AE |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 160°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D3501N42TXPSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | D3501N42TXPSA1-FT |
BYG10DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
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Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
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