casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / D1721NH90TAOSA1
Número de pieza del fabricante | D1721NH90TAOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-D1721NH90TAOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D1721NH90TAOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | - |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2160A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 150mA @ 9000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AE |
Paquete del dispositivo del proveedor | BG-D10026K-1 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 0°C ~ 140°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D1721NH90TAOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | D1721NH90TAOSA1-FT |
BYG20JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel