casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1512KV18-250BZIT
Número de pieza del fabricante | CY7C1512KV18-250BZIT |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1512KV18-250BZIT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1512KV18-250BZIT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frecuencia de reloj | 250MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1512KV18-250BZIT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1512KV18-250BZIT-FT |
CY7C1170KV18-400BZC
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CY7C1270KV18-400BZXC
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CY7C1420KV18-250BZC
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CY7C1565KV18-400BZXC
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XC2V250-6FG256C
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XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
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A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
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XC7K355T-1FFG901I
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XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
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LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
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