casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1170KV18-400BZC
Número de pieza del fabricante | CY7C1170KV18-400BZC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1170KV18-400BZC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1170KV18-400BZC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Tamaño de la memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1170KV18-400BZC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1170KV18-400BZC-FT |
CY7C1320KV18-250BZXI
Cypress Semiconductor Corp
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CY7C1414KV18-250BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1250KV18-400BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel