casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1312KV18-300BZXC
Número de pieza del fabricante | CY7C1312KV18-300BZXC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1312KV18-300BZXC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1312KV18-300BZXC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 18Mb (1M x 18) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1312KV18-300BZXC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1312KV18-300BZXC-FT |
S34ML02G100TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100TFA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100TFI900
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G104TFA010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G104TFA013
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G104TFI013
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel