casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1414BV18-200BZXI
Número de pieza del fabricante | CY7C1414BV18-200BZXI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1414BV18-200BZXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1414BV18-200BZXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1414BV18-200BZXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1414BV18-200BZXI-FT |
CY7C1663KV18-550BZXC
Cypress Semiconductor Corp
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5SGXMB5R1F40C1N
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5CGXFC9A6U19C7N
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