casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C25422KV18-333BZXI
Número de pieza del fabricante | CY7C25422KV18-333BZXI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C25422KV18-333BZXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C25422KV18-333BZXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Tamaño de la memoria | 72Mb (2M x 36) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C25422KV18-333BZXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C25422KV18-333BZXI-FT |
S29GL01GS11DHIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS60
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS63
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHV020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHV023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS12DHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS12DHIV20
Cypress Semiconductor Corp
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel