casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C25422KV18-333BZXI
Número de pieza del fabricante | CY7C25422KV18-333BZXI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C25422KV18-333BZXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C25422KV18-333BZXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Tamaño de la memoria | 72Mb (2M x 36) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C25422KV18-333BZXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C25422KV18-333BZXI-FT |
S29GL01GS11DHIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS60
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHSS63
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHV020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11DHV023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS12DHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS12DHIV20
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel