casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1270XV18-633BZXC
Número de pieza del fabricante | CY7C1270XV18-633BZXC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1270XV18-633BZXC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1270XV18-633BZXC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II |
Tamaño de la memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frecuencia de reloj | 633MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1270XV18-633BZXC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1270XV18-633BZXC-FT |
CY7C1425KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1512KV18-300BZC
Cypress Semiconductor Corp
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Microsemi Corporation
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LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
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