casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1168KV18-400BZC
Número de pieza del fabricante | CY7C1168KV18-400BZC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1168KV18-400BZC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1168KV18-400BZC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Tamaño de la memoria | 18Mb (1M x 18) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1168KV18-400BZC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1168KV18-400BZC-FT |
CY7C1314KV18-300BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1315KV18-250BZCT
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CY7C1315KV18-250BZIT
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CY7C1321KV18-250BZCT
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CY7C1321KV18-250BZXCT
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XC3S50A-5FTG256C
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XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
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EP4CGX150CF23I7
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LFE2-12SE-6F256I
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EP2SGX130GF40C5NES
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10AX048E2F29I1SG
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10AX016E3F27E1HG
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EP20K60EFC324-2
Intel