casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1314KV18-300BZXC
Número de pieza del fabricante | CY7C1314KV18-300BZXC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1314KV18-300BZXC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1314KV18-300BZXC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1314KV18-300BZXC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1314KV18-300BZXC-FT |
CY7C1518KV18-333BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1520KV18-250BZCT
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XCS20-3TQ144I
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XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
LAE5UM-45F-7BG381E
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5SGSMD4K3F40I3L
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XC4010E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EPF10K50VRI240-3
Intel