casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1041GN30-10BVJXI
Número de pieza del fabricante | CY7C1041GN30-10BVJXI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1041GN30-10BVJXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1041GN30-10BVJXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1041GN30-10BVJXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1041GN30-10BVJXI-FT |
DS1249AB-70IND#
Maxim Integrated
DS1249Y-70IND#
Maxim Integrated
DS1250W-100+
Maxim Integrated
DS1250AB-100IND+
Maxim Integrated
DS1250Y-100IND+
Maxim Integrated
DS1245Y-100+
Maxim Integrated
DS1249AB-100
Maxim Integrated
DS1249AB-85
Maxim Integrated
DS1249AB-85IND
Maxim Integrated
DS1249W-100IND
Maxim Integrated
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel