casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1250Y-100IND+
Número de pieza del fabricante | DS1250Y-100IND+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1250Y-100IND+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1250Y-100IND+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1250Y-100IND+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1250Y-100IND+-FT |
MR0A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676I
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CS324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I2SGES
Intel
5AGXBB3D4F35C5N
Intel