casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1041GE30-10VXI
Número de pieza del fabricante | CY7C1041GE30-10VXI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1041GE30-10VXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1041GE30-10VXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1041GE30-10VXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1041GE30-10VXI-FT |
CY7S1061G30-10ZSXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7S1061G30-10ZSXIT
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CY7S1061GE30-10BVM
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Cypress Semiconductor Corp
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel