casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY62147GE18-55BVXI
Número de pieza del fabricante | CY62147GE18-55BVXI |
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Número de parte futuro | FT-CY62147GE18-55BVXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62147GE18-55BVXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 2.2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62147GE18-55BVXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY62147GE18-55BVXI-FT |
DS1250W-100+
Maxim Integrated
DS1250AB-100IND+
Maxim Integrated
DS1250Y-100IND+
Maxim Integrated
DS1245Y-100+
Maxim Integrated
DS1249AB-100
Maxim Integrated
DS1249AB-85
Maxim Integrated
DS1249AB-85IND
Maxim Integrated
DS1249W-100IND
Maxim Integrated
DS1249W-150
Maxim Integrated
DS1249Y-85
Maxim Integrated
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel