casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD25202W15T
Número de pieza del fabricante | CSD25202W15T |
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Número de parte futuro | FT-CSD25202W15T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD25202W15T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | -6V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1010pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 9-DSBGA |
Paquete / Caja | 9-UFBGA, DSBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25202W15T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD25202W15T-FT |
TPH2900ENH,L1Q
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