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Texas Instruments CSD19536KCS

Número de pieza de MFG
CSD19536KCS
Cantidad disponible
92080 Piezas
Precio de referencia
USD 3.76
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Fecha de envío
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fabricante
Texas Instruments
Breve descripción
NexFET™ MOSFET N-CH 100V TO-220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-CSD19536KCS
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD19536KCS Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 150A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 153nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 12000pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD19536KCS Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto CSD19536KCS-FT

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