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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R,LF

Name: SSM3K376R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K376R,LF
Price: 0.0608 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (566 reviews)

Número de pieza de MFG: SSM3K376R,LF

Cantidad disponible: 10600 Piezas

Precio de referencia: USD 0.0608

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSVII-H SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID 4A

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SSM3K376R,LF.pdf

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SSM3K376R,LF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SSM3K376R,LF
Número de parte futuro	FT-SSM3K376R,LF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVII-H
SSM3K376R,LF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 4.5V
Vgs (Max)	+12V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	200pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23F
Paquete / Caja	SOT-23-3 Flat Leads
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3K376R,LF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SSM3K376R,LF-FT

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