casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD19502Q5BT
Número de pieza del fabricante | CSD19502Q5BT |
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Número de parte futuro | FT-CSD19502Q5BT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD19502Q5BT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4870pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.1W (Ta), 195W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD19502Q5BT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD19502Q5BT-FT |
CSD25303W1015
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