casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD25303W1015
Número de pieza del fabricante | CSD25303W1015 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CSD25303W1015 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD25303W1015 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 435pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DSBGA (1x1.5) |
Paquete / Caja | 6-UFBGA, DSBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD25303W1015 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD25303W1015-FT |
TPHR8504PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K781G,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J771G,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6H19NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31V60W5,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel