casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / CSD18511KTT
Número de pieza del fabricante | CSD18511KTT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CSD18511KTT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD18511KTT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 194A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5940pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 188W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DDPAK/TO-263-3 |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD18511KTT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CSD18511KTT-FT |
SSM3K357R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K318R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K376R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J801R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ681(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK4017(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK4021(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK2Q60D(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K341TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K361TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation