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Texas Instruments CSD16327Q3T

Número de pieza de MFG
CSD16327Q3T
Cantidad disponible
46510 Piezas
Precio de referencia
USD 0.629536
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fabricante
Texas Instruments
Breve descripción
NexFET™ CSD16327Q3T
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-CSD16327Q3T
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD16327Q3T Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) +10V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1300pF @ 12.5V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paquete / Caja 8-PowerTDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD16327Q3T Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto CSD16327Q3T-FT

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