casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGW201610GL2R2MLE
Número de pieza del fabricante | CIGW201610GL2R2MLE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIGW201610GL2R2MLE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW201610GL2R2MLE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2.3A |
Corriente - Saturación | 2.1A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GL2R2MLE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGW201610GL2R2MLE-FT |
CIG22ER47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R5MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR33MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
EP3CLS200F484I7
Intel
EP3C10E144I7N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F324I7N
Intel
EPF10K200SRC240-3
Intel