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Número de pieza del fabricante | CIG22H1R2MAE |
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Número de parte futuro | FT-CIG22H1R2MAE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG22H_MAE |
CIG22H1R2MAE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 1.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.7A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 65 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22H1R2MAE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIG22H1R2MAE-FT |
CIH05Q2N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q33NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05Q39NJNC
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XC6SLX9-2FT256C
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AX500-FGG484
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A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
10CL025YE144C6G
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation