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Número de pieza del fabricante | CIGW201610GH4R7MLE |
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Número de parte futuro | FT-CIGW201610GH4R7MLE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW201610GH4R7MLE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.1A |
Corriente - Saturación | 2A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 279 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GH4R7MLE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGW201610GH4R7MLE-FT |
CIGT252010EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H4R7MNE
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CIG22H1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
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CIG22H2R2MAE
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CIG22B4R7MNE
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CIG22L4R7MNE
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CIGT252010LMR24MNE
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CIGT252010EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC6SLX9-2FT256C
Xilinx Inc.
AX500-FGG484
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
10CL025YE144C6G
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation