casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT252010EH1R0MNE
Número de pieza del fabricante | CIGT252010EH1R0MNE |
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Número de parte futuro | FT-CIGT252010EH1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT252010EH1R0MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 4.1A |
Corriente - Saturación | 5A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 30 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252010EH1R0MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT252010EH1R0MNE-FT |
CIH05T39NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T4N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T56NJNC
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CIH05T8N2JNC
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CIH05T3N0SNC
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XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel