casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT201610UM2R2MNE
Número de pieza del fabricante | CIGT201610UM2R2MNE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIGT201610UM2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201610UM2R2MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.7A |
Corriente - Saturación | 1.3A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 154 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610UM2R2MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT201610UM2R2MNE-FT |
CIG22B2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR27MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR56MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR56MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC6SLX100T-4FGG900C
Xilinx Inc.
XC3S400-4PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300E-5UWG36CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX75DF27I7N
Intel
EPF10K30EFC484-2X
Intel
EP4SE360H29C2
Intel
EP4CE10E22C7N
Intel
XC7K355T-3FFG901E
Xilinx Inc.
EP2S130F1020C5N
Intel