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Número de pieza del fabricante | CIG22B2R2MNE |
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Número de parte futuro | FT-CIG22B2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG22B |
CIG22B2R2MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.1A |
Corriente - Saturación | 1.2A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 183 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22B2R2MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIG22B2R2MNE-FT |
CIH05T5N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T68NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T6N2SNC
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LCMXO1200C-4T100I
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XCV800-5FG676C
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M1A3P600-FG256I
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A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
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XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel