casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT201610UH2R2MUE
Número de pieza del fabricante | CIGT201610UH2R2MUE |
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Número de parte futuro | FT-CIGT201610UH2R2MUE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201610UH2R2MUE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2.2A |
Corriente - Saturación | 2.6A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610UH2R2MUE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT201610UH2R2MUE-FT |
CIGT252010LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL2R2MNE
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Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R0MNE
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CIG22B2R2MAE
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CIG22B2R2MNE
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CIG22B3R3MAE
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CIG22B3R3MNE
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel