casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT201210UHR47MNE
Número de pieza del fabricante | CIGT201210UHR47MNE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIGT201210UHR47MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201210UHR47MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 470nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.6A |
Corriente - Saturación | 5.4A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 31 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UHR47MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT201210UHR47MNE-FT |
CIG22B2R2MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22ER50SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L6R8MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM3R3MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
Intel
XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
Intel