casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT201210UHR47MNE
Número de pieza del fabricante | CIGT201210UHR47MNE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIGT201210UHR47MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201210UHR47MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 470nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.6A |
Corriente - Saturación | 5.4A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 31 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UHR47MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT201210UHR47MNE-FT |
CIG22B2R2MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22ER50SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L6R8MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM3R3MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation