casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT201210UH2R2MNE
Número de pieza del fabricante | CIGT201210UH2R2MNE |
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Número de parte futuro | FT-CIGT201210UH2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201210UH2R2MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | - |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UH2R2MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT201210UH2R2MNE-FT |
CIGW252012GM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM6R8MNE
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CIGT252007LM1R0MNC
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CIGT252007LM3R3MNC
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APA300-PQ208
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LCMXO640E-3FT256I
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A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation